1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; X-Class; польовий; 850В; 9,5А; Idm: 50А; 110Вт

Транзистор: N-MOSFET; X-Class; польовий; 850В; 9,5А; Idm: 50А; 110Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFJ20N85X
658,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFJ20N85X
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: ultra junction x-class
Заряд затвора: 63нКл
Корпус: ISO247™
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 850В
Опір в стані провідності: 0,36Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 110Вт
Струм стока: 9,5А
Струм стоку в імпульсі: 50А
Технологія: HiPerFET™; X-Class
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 190нс
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 50; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 50; SMT; 3A; 100V

548,02 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; SMT; 3A; 100V

124,18 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 16ГбDRAM; 2,133ГГц; -25÷85°C; 1,7÷1,95В
IC: пам'ять DRAM; 16ГбDRAM; 2,133ГГц; -25÷85°C; 1,7÷1,95В

4068,68 грн

Вид пам’яті:
DRAM; LPDDR4; SDRAM
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
1,7...1,95В
Пам'ять:
16Гб DRAM
Резистор: thick film; 20кОм; 1,6x0,8x0,45мм
Резистор: thick film; 20кОм; 1,6x0,8x0,45мм

0,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Зовнішні розміри:
1,6x0,8x0,45мм
Опір:
20кОм
Розміри корпусу:
1,6x0,8x0,45мм
Недоступний
Резистор: thick film; 182кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 182кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 4; OUT: транзисторний; 5кВ; CTR@If: 200-600%@5mA
Оптрон; THT; Ch: 4; OUT: транзисторний; 5кВ; CTR@If: 200-600%@5mA

112,14 грн

CTR@If:
200-600%@5mA
Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Відповідність стандарту:
VDE
Провід; UNITRONIC® LiYY (TP); LiYY; 6x2x0,25мм2; неекранований
Провід; UNITRONIC® LiYY (TP); LiYY; 6x2x0,25мм2; неекранований

126,71 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP

176,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А

236,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; Idm: 136А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; Idm: 136А

325,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 600В; 48А; Idm: 295А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 600В; 48А; Idm: 295А

1179,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

157,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
TO220-3