Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 6,6А; Idm: 20А; 104Вт; DFN8

Немає в наявності
Код товару: AONS1R1A70
25,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: AONS1R1A70
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 9,4нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 1,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 104Вт
Струм стока: 6,6А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 12Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±0,5%; ARG; 50В
Резистор: thin film; 12Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±0,5%; ARG; 50В

0,19 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 9ВDC; DPDT; Iконтактів max: 1А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 9ВDC; DPDT; Iконтактів max: 1А

122,91 грн

Виводи:
для друку
Електрична стійкість:
200000 цикли
Зовнішні розміри:
14x9x5,6мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Недоступний
Резистор: thick film; 9,09кОм; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 9,09кОм; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В

29,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; 5кВ; CTR@If: 63-125%@10mA
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; 5кВ; CTR@If: 63-125%@10mA

41,81 грн

CTR@If:
63-125%@10mA
Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Відповідність стандарту:
VDE
Недоступний
LED; синій; SMD; 1206; 90мкд; 60°; 20мА; 468нм; Лінза: прозора
LED; синій; SMD; 1206; 90мкд; 60°; 20мА; 468нм; Лінза: прозора

4,43 грн

Довжина хвилі λd:
468нм
Колір діода LED:
синій
Корпус - дюйм:
1206
Кут світіння:
60°
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 100В; 10А; Ifsm: 125А; TO220AB; туба
Діод: випрямний; THT; 100В; 10А; Ifsm: 125А; TO220AB; туба

37,38 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Patch cord; U/UTP; Cat 5e; RJ45 вилка,з обох сторін; 0,25м; CCA
Patch cord; U/UTP; Cat 5e; RJ45 вилка,з обох сторін; 0,25м; CCA

182,46 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cca
Вид кабелю:
U/UTP
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
32,8нКл
Монтаж:
SMD