Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; Idm: 34А; 26,5Вт; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPA70R360P7SXKSA1
91,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPA70R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220FP
Модель: ESD
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±16В
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 0,36Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 26,5Вт
Струм стока: 7,5А
Струм стоку в імпульсі: 34А
Технологія: CoolMOS™ P7
Тип транзистора: N-MOSFET
Провід; 4x0,35мм2; екранований,обплітка з мідного дроту; чорний
Провід; 4x0,35мм2; екранований,обплітка з мідного дроту; чорний

178,66 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з мідного дроту
Будова жили:
тросик
Вид жили:
OFC
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 39; THT; angled; 1x39
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 39; THT; angled; 1x39

53,85 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
8,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0201; 1Вт; ±1%; ERJ1TNF; 200В
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0201; 1Вт; ±1%; ERJ1TNF; 200В

9,95 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 1225; 3Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 1225; 3Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

2,42 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 430Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 430Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
2x1,25x0,5мм
Недоступний
Резистор: thin film; 49,3кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 49,3кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 510Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 510Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%

11,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс

202,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
49нКл
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3

579,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P

748,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™

632,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт

485,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220FN
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD