1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7А; Idm: 11А; 45Вт; TO251

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7А; Idm: 11А; 45Вт; TO251
Немає в наявності
Код товару: DMJ70H600SH3
101,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMJ70H600SH3
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 18,2нКл
Корпус: TO251
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 0,6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 45Вт
Струм стока: 7А
Струм стоку в імпульсі: 11А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; 1,5м; вилка; 250ВDC; 250ВAC; 4А
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; 1,5м; вилка; 250ВDC; 250ВAC; 4А

2249,75 грн

Довжина кабелю:
1,5м
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
жовтий
Недоступний
Screwdriver bit: Pozidriv®; PZ1; 1/4"; Overall len: 100mm; 2pcs.
Screwdriver bit: Pozidriv®; PZ1; 1/4"; Overall len: 100mm; 2pcs.

121,01 грн

Type of screwdriver bit:
Pozidriv®
Вид рукоятки:
E6,3mm
Загальна довжина:
100мм
Кількість в наборі/упаковці:
2шт.
Корпус для з’єднувачів: HDC; EMC; IP68; -40÷125°C
Корпус для з’єднувачів: HDC; EMC; IP68; -40÷125°C

1542,70 грн

Клас герметичності:
IP68
Модель роз’єму:
EMC
Робоча температура:
-40...125°C
Тип корпусу для з’єднувачів:
HDC
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

1,11 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,55x0,85мм
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±2,5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±2,5%; SMD

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2,5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,6А; 29Вт; DPAK,TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,6А; 29Вт; DPAK,TO252

9,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 40А
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 40А

1657,38 грн

Вид транзистора:
каскодний
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
TO247-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 17А; 103Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 17А; 103Вт; TO247

560,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс

394,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
185нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™

752,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
224нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс

377,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Заряд затвора:
50нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™

598,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
85нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™

1096,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
PLUS247™