Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 9,5А; Idm: 30А; 118Вт

Немає в наявності
Код товару: IPD65R400CEAUMA1
17,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IPD65R400CEAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 0,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 118Вт
Струм стока: 9,5А
Струм стоку в імпульсі: 30А
Технологія: CoolMOS™ CE
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 512кБ; 64кБSRAM; TQFP48; 3÷3,6ВDC; DSPIC
IC: мікроконтролер dsPIC; 512кБ; 64кБSRAM; TQFP48; 3÷3,6ВDC; DSPIC

113,41 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CLC x4; CRC; DMAC x8; motor controller; PoR; watchdog
Генератор вбудований:
32,768кГц; 8МГц
Недоступний
Провід: для сервоприводів; ÖLFLEX® SERVO 719 CY; гибридний; Cu
Провід: для сервоприводів; ÖLFLEX® SERVO 719 CY; гибридний; Cu

985,18 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET; потрійно екрановані
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Резистор: thick film; 1206; 400мВт; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 1206; 400мВт; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Patch cord; Cat 6a; 1м; тросик; Cu; 26AWG; -40÷80°C
Patch cord; Cat 6a; 1м; тросик; Cu; 26AWG; -40÷80°C

2176,89 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Діаметр жили:
26AWG
Довжина кабелю:
1м
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 16,7В; 123А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; SMDJ
Діод: TVS; 3кВт; 16,7В; 123А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; SMDJ

24,39 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
15В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 128кБ; 16кБSRAM; TQFP48; 3÷3,6ВDC; DSPIC
IC: мікроконтролер dsPIC; 128кБ; 16кБSRAM; TQFP48; 3÷3,6ВDC; DSPIC

106,44 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
CLC x4; CRC; DMAC x4; PWM; watchdog
Інтерфейс:
CAN-FD; I2C x3; PWM; QEI x2; SENT x2; SPI x3; UART x3
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 36пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 36пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,33 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
36пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK