Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 9,5А; Idm: 30А; 118Вт

Немає в наявності
Код товару: IPD65R400CEAUMA1
17,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IPD65R400CEAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 0,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 118Вт
Струм стока: 9,5А
Струм стоку в імпульсі: 30А
Технологія: CoolMOS™ CE
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 787кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 787кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Роз’єм: провід-плата; штекерний; PIN: 12; прямий; для проводу; THT
Роз’єм: провід-плата; штекерний; PIN: 12; прямий; для проводу; THT

134,95 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
12
Механічний монтаж:
для проводу
Резистор: thick film; 1206; 400мВт; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 1206; 400мВт; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 180Ом; SMD; 2А; 0603; R: 50мОм
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 180Ом; SMD; 2А; 0603; R: 50мОм

1,18 грн

Імпеданс при 100МГц:
180Ом
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Вимикач максимального струму; Uном: 240ВAC; 60ВDC; 2,5А; 3PST
Вимикач максимального струму; Uном: 240ВAC; 60ВDC; 2,5А; 3PST

1149,27 грн

Виводи:
конектори
Діелектрична міцність:
2,5кВ AC
Застосування вимикачів:
для захисту побутових приладів; для захисту промислових пристроїв
Кількість полюсів:
3
Недоступний
Оптотріак; 4,42кВ; Uвих: 600В; SMD6; Ch: 1; VO3052
Оптотріак; 4,42кВ; Uвих: 600В; SMD6; Ch: 1; VO3052

62,72 грн

Вид виходу:
без схеми перемикання у нулі; симистор
Вихідна напруга:
600В
Відповідність стандарту:
UL
Зворотна напруга макс.:
6В
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 8,2мкГн; 450мА; R: 0,56Ом; ±10%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 8,2мкГн; 450мА; R: 0,56Ом; ±10%; LQH

7,48 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
8,2мкГн
Корпус - дюйм:
1812
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD