Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 120А; 300Вт; TO220AB

Немає в наявності
Код товару: IRFB3207ZGPBF
193,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFB3207ZGPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 0,12мкКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 75В
Опір в стані провідності: 4,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 120А
Технологія: HEXFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Connector: wire-board; socket; male; data; MTA-100; PIN: 4; 2.54mm
Connector: wire-board; socket; male; data; MTA-100; PIN: 4; 2.54mm

23,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
4
Недоступний
Резистор: thick film; 620Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 620Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
620Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В

0,18 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 2x20AWG; екранований,плівка AL-PET
Провід; Alpha Essential C&C; 2x20AWG; екранований,плівка AL-PET

46924,16 грн

Будова екрану:
екранований; плівка AL-PET
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
CSA CMG FT4; UL 2464; UL CMG
Недоступний
Резистор: thick film; 24,3кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 24,3кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,57 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
24,3кОм
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 24А; 650Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 24А; 650Вт; TO264

652,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
TO264
Недоступний
Резистор: thick film; 221кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 221кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 33А; 36Вт
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 33А; 36Вт

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; TO247

235,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
180нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3А; Idm: 12А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3А; Idm: 12А; 20Вт; TO220FP

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,4А; Idm: 25,6А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,4А; Idm: 25,6А; 125Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

199,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1,2кВ; 7,6А; Idm: 48А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1,2кВ; 7,6А; Idm: 48А

433,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 112А; Idm: 480А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 112А; Idm: 480А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220-3