1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 230А; 480Вт; TO263-7; 59нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 230А; 480Вт; TO263-7; 59нс
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFA230N075T2-7
372,53 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFA230N075T2-7
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 178нКл
Корпус: TO263-7
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 75В
Опір в стані провідності: 4,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 480Вт
Струм стока: 230А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 59нс
Недоступний
Резистор: thin film; 280Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 280Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,01%

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 1÷30мм; PNP; LIGHT-ON; 20мА
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 1÷30мм; PNP; LIGHT-ON; 20мА

8013,19 грн

Дальність:
1...30мм
Довжина відводів:
0,3м
Довжина хвилі λd:
650нм
Зовнішні розміри:
12x24x3,5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,9пФ
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 25нс; FBGA48; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 25нс; FBGA48; паралельний

2534,21 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
FBGA48
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; AS; 400В
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; AS; 400В

3,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,9пФ; 50В; CHA; ±0,25%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,9пФ; 50В; CHA; ±0,25%; SMD; 0402

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±0,25%
Недоступний
Резистор: thin film; 35,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 35,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73R; 75В

0,86 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD