Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 58А; 135Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: FDB16AN08A0
88,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: FDB16AN08A0
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 28нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 75В
Опір в стані провідності: 16мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 135Вт
Струм стока: 58А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 600В; 1А; Ifsm: 30А; DO204AL,DO41; Ammo Pack
Діод: випрямний; THT; 600В; 1А; Ifsm: 30А; DO204AL,DO41; Ammo Pack

2,96 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
DO41; DO204AL
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402

5,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
9,7пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 250В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 250В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0603

4,88 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
4,9пФ
Модуль: GPRS/GNSS; Bluetooth: 4.0; акселерометр; 128МБFLASH; IP41
Модуль: GPRS/GNSS; Bluetooth: 4.0; акселерометр; 128МБFLASH; IP41

4523,57 грн

Батарея/акумулятор:
акумулятор Li-Po 3,7В 170мАг x1
Версія Bluetooth:
4.0
Вид модуля:
акселерометр
Використання:
відстеження транспортних засобів
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 18; SMT; 2.5A; 100V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 18; SMT; 2.5A; 100V

618,35 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
18
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 246В; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; SMCJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 246В; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; SMCJ

17,04 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
220В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; ±20%; M; 13,5x12,5x5,7мм
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; ±20%; M; 13,5x12,5x5,7мм

24,01 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
13,5x12,5x5,7мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD