Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STD3NK80ZT4
115,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STD3NK80ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: DPAK
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 4,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 70Вт
Струм стока: 1,57А
Технологія: SuperMesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 453кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 453кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 4кБSRAM,24кБFLASH; QFN32; 1,8÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер ARM; 4кБSRAM,24кБFLASH; QFN32; 1,8÷3,6ВDC

127,98 грн

Вид архітектури:
Cortex M0
Інтерфейс:
I2C; SPI; UART
Кількість входів/виходів:
28
Кількість таймерів 16бит:
2
Недоступний
Резистор: thin film; 1,8кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 1,8кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%

2,65 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Діод: зенера; 1,25Вт; 43В; DO41; 1мкА; Ufmax: 1,2В
Діод: зенера; 1,25Вт; 43В; DO41; 1мкА; Ufmax: 1,2В

323,75 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
43В
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Рамка; Вим: 91x36,4мм; 75x24,2мм; ABS; Колір: чорний
Рамка; Вим: 91x36,4мм; 75x24,2мм; ABS; Колір: чорний

749,49 грн

Властивості дисплеїв:
антивідблискове акрилове скло
Колір корпусу:
чорний
Матеріал корпусу:
ABS
Розміри:
91x36,4мм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 200нГн; 120мА; R: 2,4Ом; ±2%; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 200нГн; 120мА; R: 2,4Ом; ±2%; LQW; 180мм

3,36 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±2%
Індуктивність:
0,2мкГн
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; THT; 3A; 100V

108,97 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,4А; 0,5Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,4А; 0,5Вт; SOT323

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 42Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 42Вт; PG-TO252-3

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3

124,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В