Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; 300Вт; TO220AB

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFP10N80P
354,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFP10N80P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 40нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 800В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 10А
Тип транзистора: N-MOSFET
Розширювач DALI; DALI; 12÷20,5ВDC; 250мА; 230ВAC; 9,5÷22,5ВDC
Розширювач DALI; DALI; 12÷20,5ВDC; 250мА; 230ВAC; 9,5÷22,5ВDC

10848,97 грн

Вихідна напруга:
12...20,5В DC
Вихідний струм:
0,25А
Електричне під'єднування:
різьбові клеми
Захист:
від короткого замикання SCP; протиперевантажувальні OCP
Недоступний
Резистор: thick film; 23,7кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF
Резистор: thick film; 23,7кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF

0,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Оптрон; SMD; OUT: ізольований підсилювач; 3,75кВ
Оптрон; SMD; OUT: ізольований підсилювач; 3,75кВ

0,00 грн

Вид виходу:
ізольований підсилювач
Монтаж:
SMD
Напруга ізоляції:
3,75кВ
Тип оптоізолятора:
оптрон
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 50В; X7R; ±10%; 0805
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 50В; X7R; ±10%; 0805

6,97 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Генератор; 14,3182МГц; SMD; 2,5x2x0,8мм; 15пФ; ±20ppm; 3,3ВDC
Генератор; 14,3182МГц; SMD; 2,5x2x0,8мм; 15пФ; ±20ppm; 3,3ВDC

80,46 грн

Вихідний сигнал:
CMOS
Допуск резонаторів:
±20ppm
Ємність:
15пФ
Монтаж:
SMD
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 2020; 2,2мкГн; 1370мА; R: 0,03Ом; ±30%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 2020; 2,2мкГн; 1370мА; R: 0,03Ом; ±30%; LQH

8,30 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±30%
Індуктивність:
2,2мкГн
Корпус - дюйм:
2020
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 450В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 450В; C0G (NP0); ±5%; SMD

2,63 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
soft termination
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 47А; 415Вт; PG-TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 47А; 415Вт; PG-TO247-3

594,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 34А; 46Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 34А; 46Вт; TO220FP

191,97 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 125А; 136Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 125А; 136Вт; TO220-3

100,74 грн

Заряд затвора:
69нКл
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 75А; 285Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 75А; 285Вт; TO247

185,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14,9А; 310Вт; TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14,9А; 310Вт; TO3PN

321,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
145нКл
Корпус:
TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 21Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 21Вт; TO220FP

121,64 грн

Заряд затвора:
5,7нКл
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Поляризація:
польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92

46,88 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT