Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 44Вт; TO220F

Немає в наявності
Код товару: BXP10N80F
50,05 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BXP10N80F
Виробник: BRIDGELUX
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 71нКл
Корпус: TO220F
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 44Вт
Струм стока: 10А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Патч-корд світлопроводний; OM4; ST/UPC,з обох сторін; 2м
Патч-корд світлопроводний; OM4; ST/UPC,з обох сторін; 2м

2385,33 грн

Довжина кабелю:
2м
Категорія світлопроводу:
OM4
Колір ізоляції:
фіолетовий
Конструкція кабелю/переходу:
ST/UPC; з обох сторін
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,8пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 5,6кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 5,6кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; CQ; 200В

1,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Резистор: thick film; 150кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 150кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В

0,10 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 25В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 25В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Перетворювач: AC/DC; 40Вт; Uвх: 90÷264ВAC,120÷370ВDC; Uвих: 5ВDC
Перетворювач: AC/DC; 40Вт; Uвх: 90÷264ВAC,120÷370ВDC; Uвих: 5ВDC

1153,07 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
8А
Вхідна напруга:
90...264В AC; 120...370В DC
Електричне під'єднування:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 36кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 36кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; 25ppm/°C

0,70 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

488,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
117нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

866,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
106нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB

447,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO220FP