Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 160мА; 2,5Вт; SOT223; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STN1NK80Z
96,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STN1NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT223
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 16Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: 0,16А
Технологія: SuperMesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0,47мкГн; 32А; R: 1,6мОм; ±20%; IHLP
Реактор: дротяний; SMD; 0,47мкГн; 32А; R: 1,6мОм; ±20%; IHLP

51,32 грн

Властивості дроселів:
дуже низький рівень акустичного шуму; екрановані; на великий струм; низька величина DCR/uH
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,47мкГн
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 23,7кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 23,7кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%

11,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; 25А; 300В
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; 25А; 300В

514,45 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Електричний монтаж:
гвинтовий затиск
Кількість пін:
10
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thin film; 1,21кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 1,21кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
IC: перетворювач D/A; 12бит; 3,4Мsps; Ch: 2; 1,8÷5,5В; QFN16; 270кГц
IC: перетворювач D/A; 12бит; 3,4Мsps; Ch: 2; 1,8÷5,5В; QFN16; 270кГц

144,45 грн

Max DNL:
±1LSB
Max INL:
±1LSB
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR
Недоступний
Резистор: thin film; 64,9кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 64,9кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

20,40 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 887Ом; SMD; 4320; 5Вт; ±1%; SP; 300В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 887Ом; SMD; 4320; 5Вт; ±1%; SP; 300В; -55÷155°C

21,48 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4320
Корпус - мм:
1150
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,6А; Idm: 18,4А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,6А; Idm: 18,4А; 3Вт; SOT223

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; 1,28Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; 1,28Вт; TSOP6

6,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 56А; Idm: 224А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 56А; Idm: 224А; 62,5Вт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 2Вт; SO8

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40А; 62Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40А; 62Вт; DFN8

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 34А; 18Вт; DFN5x6; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 34А; 18Вт; DFN5x6; ESD

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
57нКл
Корпус:
DFN5x6
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40А; 62Вт; DFN8; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40А; 62Вт; DFN8; автомобільна галузь

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
DFN8