1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPD80R900P7ATMA1
95,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPD80R900P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 15нКл
Корпус: PG-TO252-3
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 0,9Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 45Вт
Струм стока: 3,9А
Технологія: CoolMOS™ P7
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 31,33÷34,16В; 13,3А; двоспрямована; SMB
Діод: TVS; 600Вт; 31,33÷34,16В; 13,3А; двоспрямована; SMB

22,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
28В
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Діод: випрямний; SMD; 1А; 980мВ; Ifsm: 25А; Ir: 10мкА
Діод: випрямний; SMD; 1А; 980мВ; Ifsm: 25А; Ir: 10мкА

3,93 грн

Монтаж:
SMD
Пряма напруга макс.:
0,98В
Структура напівпровідника:
одиночний діод
Струм витоку:
10мкА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,17 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
22пФ
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 80МГц; LQFP64; 32кБRAM,128кБFLASH; DALI
IC: мікроконтролер ARM; 80МГц; LQFP64; 32кБRAM,128кБFLASH; DALI

148,89 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; PoR; PWM
Інтерфейс:
I2C; IrDA; Smart Card; SMBus; SPI; UART
Кількість входів/виходів:
60
Недоступний
Генератор; 10МГц; SMD; 2x1,6x0,8мм; 15пФ; ±30ppm; 3,3ВDC; -40÷105°C
Генератор; 10МГц; SMD; 2x1,6x0,8мм; 15пФ; ±30ppm; 3,3ВDC; -40÷105°C

74,76 грн

Вихідний сигнал:
CMOS
Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
15пФ
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; SMT; 3A; 250V

100,10 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 27А; 71Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 27А; 71Вт; SMA

363,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 217Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 217Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 70В; 80А; Idm: 320А; 128Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 70В; 80А; Idm: 320А; 128Вт

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
67нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 174А; Idm: 984А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 174А; Idm: 984А; 375Вт; D2PAK

257,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
407нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-JFET; польовий; 10мА; 0,46Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 10мА; 0,46Вт; SOT23; Igt: 10мА

35,48 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,8нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 14,5мА; 0,2Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 14,5мА; 0,2Вт; SOT23; Igt: 10мА

24,71 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-15В