Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 32А; 830Вт; TO264

Немає в наявності
Код товару: IXFK32N80P
941,46 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFK32N80P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 150нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 0,27Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 830Вт
Струм стока: 32А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 38,3Ом; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 38,3Ом; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

41,81 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
Резистор: thick film; 2,2МОм; SMD; 0402
Резистор: thick film; 2,2МОм; SMD; 0402

0,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 43В; SMD; DO213AB; 50нА
Діод: зенера; 500мВт; 43В; SMD; DO213AB; 50нА

697,54 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
43В
Корпус:
DO213AB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 6,67÷7,37В; 38,8А; односпрямована; DO214AC,SMA
Діод: TVS; 400Вт; 6,67÷7,37В; 38,8А; односпрямована; DO214AC,SMA

2,48 грн

Зворотна напруга макс.:
6В
Корпус:
DO214AC; SMA
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
6,67...7,37В
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 33мкГн; R: 120мОм; ±20%; NRS; 1,6А; 8x8мм
Реактор: дротяний; SMD; 33мкГн; R: 120мОм; ±20%; NRS; 1,6А; 8x8мм

12,86 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
33мкГн
Матеріал стержня:
порошкове залізо; ферит
Монтаж:
SMD
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 50В; 1А; 500мВт; SOT323
Транзистор: NPN; біполярний; 50В; 1А; 500мВт; SOT323

43,72 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість в наборі/упаковці:
3000шт.
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 249кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 249кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; польовий; 200В; 5,7А; 75Вт
Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; польовий; 200В; 5,7А; 75Вт

85,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 140А; 330Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 140А; 330Вт; TO220AB

181,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 120А; 230Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 120А; 230Вт; TO220AB

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
79нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; 27Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; 27Вт; TO220F

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270А; 380Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270А; 380Вт; TO220AB

143,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
91нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 11А; 150Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 11А; 150Вт; TO220-3

273,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT