Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 38А; 694Вт; TO264

Немає в наявності
Код товару: APT8020LLLG
2116,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT8020LLLG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 195нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 0,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 694Вт
Струм стока: 38А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 2512; 2Вт; PMR; -55÷155°C
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 2512; 2Вт; PMR; -55÷155°C

13,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; 16А; THT; toff: 8мс
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; 16А; THT; toff: 8мс

117,21 грн

Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Конфігурація контактів:
SPDT
Макс. напруга котушки:
18В DC
Макс. струм контактів:
16А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

6,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,5пФ
Недоступний
M20; 1,5; IP68; нержавіюча сталь; HSK-INOX-PVDF
M20; 1,5; IP68; нержавіюча сталь; HSK-INOX-PVDF

1210,72 грн

Вид різьблення:
метрична
Довжина гвинта:
6мм
Зовнішній діаметр проводу:
7...12мм
Клас герметичності:
IP68
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

0,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,71 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
68нФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; польовий; 200В; 5,7А; 75Вт
Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; польовий; 200В; 5,7А; 75Вт

85,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 140А; 330Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 140А; 330Вт; TO220AB

181,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 120А; 230Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 120А; 230Вт; TO220AB

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
79нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; 27Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; 27Вт; TO220F

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270А; 380Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270А; 380Вт; TO220AB

143,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
91нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 11А; 150Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 11А; 150Вт; TO220-3

273,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT