Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,6А; TO220

Немає в наявності
Код товару: AOT8N80
50,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AOT8N80
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 26нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 1,63Ом
Поляризація: польовий
Струм стока: 4,6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 200Вт; 6,67÷7,37В; 19,42А; односпрямована; SOD123F
Діод: TVS; 200Вт; 6,67÷7,37В; 19,42А; односпрямована; SOD123F

4,18 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
6В
Корпус:
SOD123F
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 14В; 75,3А; двоспрямована; ±5%; DO214AB; SZ1SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 14В; 75,3А; двоспрямована; ±5%; DO214AB; SZ1SMC

43,08 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
12В
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 33МГц; I2C,SPI,UART,USART; SMD
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 33МГц; I2C,SPI,UART,USART; SMD

765,97 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM
Інтерфейс:
I2C; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
50
Грейфер; еластичний; магнітний; 400мм; 270г; Ø: 4мм
Грейфер; еластичний; магнітний; 400мм; 270г; Ø: 4мм

440,32 грн

Вантажопідй.:
270г
Вид рукоятки:
магнітний
Діаметр наконечника:
4мм
Загальна довжина:
400мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 13пФ; 200В; X8G; ±5%; SMD; 0201; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 13пФ; 200В; X8G; ±5%; SMD; 0201; 180мм

2,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 8А; 63Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 8А; 63Вт; TO251

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO262
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO262

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO262
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 50А; 690Вт; TO247-3; 250нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 50А; 690Вт; TO247-3; 250нс

611,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 12А; 180Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 12А; 180Вт; TO220AB

285,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 200В; 140А; 520Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 200В; 140А; 520Вт; TO3P

600,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
127нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 90А; 150Вт; TO220AB; 37нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 90А; 150Вт; TO220AB; 37нс

194,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
42нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 30А; 170Вт; TO220AB; 82нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 30А; 170Вт; TO220AB; 82нс

349,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
21нКл