Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 51А; 35Вт; TO220FP

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SIHA24N80AE-GE3
224,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHA24N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 89нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 184мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 35Вт
Струм стока: 5А
Струм стоку в імпульсі: 51А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,6пФ
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; ADC,I2C,PWM,SPI,UART,USART; SMD; VQFN32
IC: мікроконтролер PIC; ADC,I2C,PWM,SPI,UART,USART; SMD; VQFN32

94,40 грн

Вид упаковки:
лоток
Інтерфейс:
ADC; I2C; PWM; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
16
Корпус:
VQFN32
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; THT; 5мм

15,90 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
10нФ
Недоступний
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C

1,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 46; Press-Fit; 3A; vertical
Connector: pin strips; data; PIN: 46; Press-Fit; 3A; vertical

472,00 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
Press-Fit
Кількість пін:
46
Клас горючості:
UL94V-0
Провід; LiYz; 2x0,14мм2; 250В; Упаковка: 500м; Cu; тросик
Провід; LiYz; 2x0,14мм2; 250В; Упаковка: 500м; Cu; тросик

8625,20 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
LiYz
Вид матеріалу:
не поширює полум'я; що самогаситься
Резистор: thick film; 43Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 43Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

2,66 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт

1568,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
215нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

320,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
11нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А

382,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

622,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
42нКл