Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 100А; 227Вт; DPAK

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDD86367
138,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDD86367
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 88нКл
Корпус: DPAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 8,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 227Вт
Струм стока: 100А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,5пФ; 250В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,5пФ; 250В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0805

17,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
2,5пФ
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 26,7÷29,6В; 15,4А; односпрямована; ±5%; SMB
Діод: TVS; 600Вт; 26,7÷29,6В; 15,4А; односпрямована; ±5%; SMB

8,49 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
24В
100МГц; SMD; 2,5x2мм; 15пФ; ±10ppm; Вим: 2,5x2мм; -40÷85°C
100МГц; SMD; 2,5x2мм; 15пФ; ±10ppm; Вим: 2,5x2мм; -40÷85°C

182,46 грн

Ємність:
15пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Розміри:
2,5x2мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0402; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0402; 330мм

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD