Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7

Немає в наявності
Код товару: IPB019N08N3G
125,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: IPB019N08N3G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO263-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 1,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 180А
Технологія: OptiMOS™ 3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Ферит: циліндричний; 43; -55÷90°C; 2,85x1,65x3,75мм; 100МГц; 22Ом
Ферит: циліндричний; 43; -55÷90°C; 2,85x1,65x3,75мм; 100МГц; 22Ом

1,93 грн

Імпеданс:
22Ом
Матеріал стержня:
43
Робоча температура:
-55...90°C
Розміри:
2,85x1,65x3,75мм
Недоступний
Роз’єм: HDC; EPIC® ULTRA H-B 16 TGH QB 2X 7-15; промислова
Роз’єм: HDC; EPIC® ULTRA H-B 16 TGH QB 2X 7-15; промислова

2664,09 грн

Connector family:
промислова
Engineering PN:
EPIC® ULTRA H-B 16 TGH QB 2X 7-15
Тип роз’єму:
HDC
Недоступний
Резистор: thin film; 4,22Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 4,22Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

11,02 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 182Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 182Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус конектора; прямий; для конекторів 6,3 мм; ПВХ
Корпус конектора; прямий; для конекторів 6,3 мм; ПВХ

6,78 грн

Застосування роз’ємів:
для конекторів 6,3 мм
Матеріал:
ПВХ
Просторова орієнтація:
прямий
Тип аксесуарів для роз’ємів:
корпус конектора
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 10; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 10; THT; straight

16,98 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
30,8мм
Електричний монтаж:
THT
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F

10,77 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
4нКл
Корпус:
PG-SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
124нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252

21,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; польовий; 40В; 81А; Idm: 360А
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; польовий; 40В; 81А; Idm: 360А

79,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
PG-TO252-3-313
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,3Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,89А; Idm: 5,6А; 36Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,89А; Idm: 5,6А; 36Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DPAK; TO252