Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,3Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: MMFTN170
13,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MMFTN170
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,3Вт
Струм стока: 0,5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Дисплей: LED; 7-сегментний; 14,22мм; Кільк.зн: 1; червоний; 11мкд
Дисплей: LED; 7-сегментний; 14,22мм; Кільк.зн: 1; червоний; 11мкд

19,64 грн

Вид дисплея:
7-сегментний
Висота знаку:
14,22мм
Довжина хвилі λd:
650нм
К-ть знаків:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кристал; 12МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 10пФ; Стаб.част: ±30ppm
Кристал; 12МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 10пФ; Стаб.част: ±30ppm

10,01 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
10пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Недоступний
Резистор: thick film; 487кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В
Резистор: thick film; 487кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В

0,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 40ВDC; Ø12,5x30мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 40ВDC; Ø12,5x30мм; ±20%

207,17 грн

Виводи:
осьові
Висота:
30мм
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 1,8Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 1,8Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

2,58 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0805

0,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
0,33нФ
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 140А; Idm: 560А; 217Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 140А; Idm: 560А; 217Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
96нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
DFN5
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 32А; Idm: 96А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 32А; Idm: 96А; 168Вт

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 5А; Idm: 38А; 800мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 5А; Idm: 38А; 800мВт; SOT23

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,14А; Idm: 0,8А; 0,37Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,14А; Idm: 0,8А; 0,37Вт; SOT23

6,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,15А; Idm: 0,8А; SC70,SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,15А; Idm: 0,8А; SC70,SOT323

4,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 78А; Idm: 440А; 170Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 78А; Idm: 440А; 170Вт; D2PAK

137,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
D2PAK