Транзистор: N-MOSFET; польовий; 850В; 50А; 890Вт; TO268HV; 218нс

Немає в наявності
Код товару: IXFT50N85XHV
774,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFT50N85XHV
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: ultra junction x-class
Заряд затвора: 152нКл
Корпус: TO268HV
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 850В
Опір в стані провідності: 0,105Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 890Вт
Струм стока: 50А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 218нс
Недоступний
Резистор: thick film; 475Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJ8ENF
Резистор: thick film; 475Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJ8ENF

0,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; RK73B-RT; 200В
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; RK73B-RT; 200В

0,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; THT; 3A; 250V

126,71 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
23,5мм
Блок живлення: імпульсний; AC/DC; 760Вт; Uвх: 90÷264ВAC; 12В; 50А
Блок живлення: імпульсний; AC/DC; 760Вт; Uвх: 90÷264ВAC; 12В; 50А

10221,76 грн

Вид блоку живлення:
AC/DC
Вихідна напруга:
12В
Вихідний струм:
50А
Вхідна напруга:
90...264В AC
Недоступний
Резистор: thick film; 1,62кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; 150В
Резистор: thick film; 1,62кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; 150В

0,39 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Шліфувальні круги; Ø: 150мм; Товщ.диска: 6мм; сталь; 22,23мм
Шліфувальні круги; Ø: 150мм; Товщ.диска: 6мм; сталь; 22,23мм

0,00 грн

Вид рукоятки:
монтажний отвір
Використання інструментів:
сталь
Діаметр диску:
150мм
Розмір гнізда тримача - мм:
22,23мм
Резистор: thick film; 26,7кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 26,7кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; -55÷155°C

2,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD

205,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD

268,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD