Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 2,5А; 125Вт; TO220AB

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 2,5А; 125Вт; TO220AB
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMN90H8D5HCT
Price: 40.55 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: DMN90H8D5HCT

40,55 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

DMN90H8D5HCT

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Корпус:

TO220AB

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

900В

Опір в стані провідності:

7Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

125Вт

Струм стока:

2,5А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 44А; Idm: 176А; 329Вт; TO247-3

692,47 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
57нКл

Корпус:
TO247-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 34А; Idm: 90А; 270Вт

1498,99 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
105нКл

Корпус:
HIP247™

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 45А; Idm: 288А

476,43 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
106нКл

Корпус:
TO247

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 18А; Idm: 676А; 37Вт; TO220FP

344,02 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
130нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 5А; Idm: 20А

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
розсипний

Заряд затвора:
10,5нКл

Корпус:
FTO-220AG (SC91)

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 26А; Idm: 104А

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
розсипний

Заряд затвора:
24,5нКл

Корпус:
FTO-220AG (SC91)

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 34,8А; Idm: 220А; 48Вт; TO220FP

126,71 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
37нКл

Корпус:
TO220FP