Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4,4А; 120Вт; TO3PF

Немає в наявності
Код товару: FQAF11N90C
274,33 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FQAF11N90C
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 80нКл
Корпус: TO3PF
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 900В
Опір в стані провідності: 1,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 120Вт
Струм стока: 4,4А
Технологія: QFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Дисплей: VFD; графічний; 140x16; Темп: -40÷85°C; PIN: 21; 1x7,2x7
Дисплей: VFD; графічний; 140x16; Темп: -40÷85°C; PIN: 21; 1x7,2x7

8542,21 грн

Вид дисплея:
графічний
Інтерфейс:
CMOS; parallel; serial
Кількість пін:
21
Колір:
зелений (синьо-зелений)
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 20,5кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 20,5кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 22; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 22; THT; 3A; 250V

110,87 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 1ГбFLASH; CFI,SPI; 80МГц; 2,7÷3,6В; SOIC16
IC: пам'ять FLASH; 1ГбFLASH; CFI,SPI; 80МГц; 2,7÷3,6В; SOIC16

884,44 грн

Вид пам’яті:
NOR
Вид упаковки:
лоток
Інтерфейс:
CFI; SPI
Корпус:
SOIC16
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; SMT; 3A; 250V

281,30 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP

176,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А

236,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; Idm: 136А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; Idm: 136А

325,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 600В; 48А; Idm: 295А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 600В; 48А; Idm: 295А

1179,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

157,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
TO220-3