1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 4,41А; Idm: 28А; 160Вт; TO247

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 4,41А; Idm: 28А; 160Вт; TO247
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STW9NK95Z
217,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STW9NK95Z
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 56нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 950В
Опір в стані провідності: 1,15Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 160Вт
Струм стока: 4,41А
Струм стоку в імпульсі: 28А
Технологія: SuperMesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Реактор: дротяний; SMD; 91мкГн; 1,2А; ±10%; 12,7x12,7x5,46мм
Реактор: дротяний; SMD; 91мкГн; 1,2А; ±10%; 12,7x12,7x5,46мм

174,86 грн

Висота:
5,46мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
91мкГн
Монтаж:
SMD
Недоступний
LED стрічка; білий холодний; Корп.(мм): 2835; LED/м: 64; 10мм; IP20
LED стрічка; білий холодний; Корп.(мм): 2835; LED/м: 64; 10мм; IP20

292,07 грн

Властивості джерел світла:
біла РСВ
Властивості діодів LED:
без корпусу
Кількість LED на метр:
64
Кількість пін:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 127кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 127кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
127кОм
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 100 CY; 4G1,5мм2; ПВХ; прозорий,сірий
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 100 CY; 4G1,5мм2; ПВХ; прозорий,сірий

325,01 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Резистор: thick film; 402Ом; SMD; 0603; ±1%; 75В; 0,1мм; -55÷155°C
Резистор: thick film; 402Ом; SMD; 0603; ±1%; 75В; 0,1мм; -55÷155°C

0,13 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; 470мкФ; 4ВDC; D; 2917; SMD; T591
Конденсатор: танталово-полімерний; 470мкФ; 4ВDC; D; 2917; SMD; T591

50,05 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
470мкФ
Корпус:
D
Корпус - дюйм:
2917
Недоступний
Резистор: thin film; 1,8кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 1,8кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,95 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт

1568,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
215нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

320,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
11нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А

382,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

622,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
42нКл