Транзистор: N-MOSFET; польовий; TO264

Немає в наявності
Код товару: SMOS82N30B3L
855,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SMOS82N30B3L
Виробник: SIRECTIFIER
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Поляризація: польовий
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Контактор: 3-полюсний; NO x3; 48ВDC; 50А; на шину DIN; J7KN; W: 60мм
Контактор: 3-полюсний; NO x3; 48ВDC; 50А; на шину DIN; J7KN; W: 60мм

9546,39 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Висота:
112мм
Конфігурація контактів:
NO x3
Монтаж:
на шину DIN
Резистор: thin film; 16,9кОм; 2x1,25мм
Резистор: thin film; 16,9кОм; 2x1,25мм

14,13 грн

Опір:
16,9кОм
Розміри корпусу:
2x1,25мм
Тип резистора:
thin film
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0402; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0402; 180мм

0,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Енкодер: інкрементальний; THT; 24імп./об; 5ВDC; 0,5мА; L: 19мм
Енкодер: інкрементальний; THT; 24імп./об; 5ВDC; 0,5мА; L: 19мм

338,95 грн

Властивості енкодерів:
з кнопкою
Глибина зрізу:
1,5мм
Діаметр осі:
6мм
Довжина осі:
19мм
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 83,3÷92,1В; 24,8А; односпрямована; ±5%
Діод: TVS; 3кВт; 83,3÷92,1В; 24,8А; односпрямована; ±5%

61,45 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
75В
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Аксесуари: пресуючі губки; кільцевий трубчастий наконечник
Аксесуари: пресуючі губки; кільцевий трубчастий наконечник

18518,78 грн

Застосування інструментів для обробки кінцівок:
кільцевий трубчастий наконечник
Переріз проводу:
150мм2
Тип аксесуарів для інструментів:
пресуючі губки
Форма матриці:
шестикутна
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201

2,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
1,5пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4А; Idm: 20А; 43Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4А; Idm: 20А; 43Вт; TO220AB

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; TO220AB

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 160Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 160Вт; TO247AC

137,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 17А; 45Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 17А; 45Вт; TO220AB

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт

1384,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
162нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

26,61 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD