Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1,2кВ; 10А; TO247-3

Немає в наявності
Код товару: APT1201R5BVRG
1815,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT1201R5BVRG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 28нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 1,5Ом
Поляризація: польовий
Струм стока: 10А
Технологія: POWER MOS 5®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 33нФ; 160ВAC; 250ВDC; 5мм; ±10%; THT
Конденсатор: поліестровий; 33нФ; 160ВAC; 250ВDC; 5мм; ±10%; THT

5,45 грн

Висота:
6,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина:
7,3мм
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 117Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 117Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 4,7мкФ; 35ВDC; SMD; C; 2312; ±20%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 4,7мкФ; 35ВDC; SMD; C; 2312; ±20%; TAJ

15,84 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
4,7мкФ
Корпус:
C
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 110пФ; 250В; X8G; ±2%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 110пФ; 250В; X8G; ±2%; SMD; 0805

6,91 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thin film; 68Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 68Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Вентилятор: AC; 225x225x88,7мм; осьовий; 230ВAC; кульковий; IP44
Вентилятор: AC; 225x225x88,7мм; осьовий; 230ВAC; кульковий; IP44

0,00 грн

Виводи:
затискна планка
Вид вентилятора:
осьовий
Вид двигуна:
1-фазний
Вид підшипника:
кульковий
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт

107,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
168нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN

219,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK

228,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
SOT78; TO220AB