Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 11А; Idm: 44А

Немає в наявності
Код товару: APT1001RBVFRG
820,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT1001RBVFRG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 150нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 278Вт
Струм стока: 11А
Струм стоку в імпульсі: 44А
Технологія: POWER MOS 5®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 6; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 6; THT; straight

9,25 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
22,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: metal film; 459Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 459Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

38,01 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа",М12 "мама"; вилка; 60В; 4А
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа",М12 "мама"; вилка; 60В; 4А

594,27 грн

Довжина проводу:
0,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Резистор: thick film; 54,9кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; HP; 300В
Резистор: thick film; 54,9кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; HP; 300В

4,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

1,12 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
ROCKER; DPDT; (ON)-OFF-(ON); 5A/120ВAC; 5A/28ВDC; чорний; IP67
ROCKER; DPDT; (ON)-OFF-(ON); 5A/120ВAC; 5A/28ВDC; чорний; IP67

284,47 грн

Виводи:
для друку
Клас герметичності:
IP67
Колір клавіші:
чорний
Конфігурація контактів:
DPDT
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 10x24AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В
Провід; Alpha Essential C&C; 10x24AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В

106604,29 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
C(UL) TYPE CMG FT4; UL 2464; UL CMG
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс

202,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
49нКл
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3

579,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P

748,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™

632,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт

485,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220FN
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD