Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SIRC16DP-T1-GE3
115,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIRC16DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 105нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 25В
Опір в стані провідності: 1,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 34,7Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 250А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET + Schottky
Вентилятор: DC; 40x40x10мм; осьовий; 12ВDC; 16,82м3/г; 31,4дБА
Вентилятор: DC; 40x40x10мм; осьовий; 12ВDC; 16,82м3/г; 31,4дБА

226,18 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
Vapo
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Недоступний
Резистор: thick film; 17,4Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 17,4Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

0,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 27; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 27; SMT; 3A; 250V

151,42 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 3,4нГн; 1950мА; R: 0,03Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 3,4нГн; 1950мА; R: 0,03Ом; LQW; 180мм

3,45 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Індуктивність:
3,4нГн
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 33мкФ; 450ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 33мкФ; 450ВDC; ±20%

100,10 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Властивості конденсаторів:
великий імпульсний струм; висока довговічність
Діаметр:
16мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86

491,64 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD