Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А

Немає в наявності
Код товару: SISC06DN-T1-GE3
67,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISC06DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 58нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 29,6Вт
Струм стока: 40А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET + Schottky
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 4,5÷36ВDC; Uвих: 2÷35ВDC; Iвих: 500мА
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 4,5÷36ВDC; Uвих: 2÷35ВDC; Iвих: 500мА

866,07 грн

Використання:
LED
Вихідна напруга:
2...35В DC
Вихідний струм:
0,5А
Вхідна напруга:
4,5...36В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 9,31кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 9,31кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В

0,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 4; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; SMD16
Оптрон; SMD; Ch: 4; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; SMD16

0,00 грн

Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
4
Недоступний
Резистор: thin film; 374Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 374Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 243Ом; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±0,1%; 200В
Резистор: thin film; 243Ом; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±0,1%; 200В

4,62 грн

Діаметр:
1,5мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±0,1%
Корпус:
MiniMELF
Недоступний
Амперметр; цифровий,монтажний; 0÷20мА; ±(0,2%+1digit); панельний
Амперметр; цифровий,монтажний; 0÷20мА; ±(0,2%+1digit); панельний

5874,94 грн

Вид вжитого дисплея:
LED
Вимір:
струму DC
Висота знаку:
14мм
Вихід:
вихід типу OC x2
Недоступний
Резистор: thin film; 24,3Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 24,3Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В

2,04 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
32,8нКл
Монтаж:
SMD