Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А

Немає в наявності
Код товару: SIRC10DP-T1-GE3
81,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIRC10DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 36нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 5,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 27,5Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 150А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET + Schottky
Недоступний
Резистор: thick film; 576кОм; SMD; 4320; 5Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 576кОм; SMD; 4320; 5Вт; ±1%; SP; 300В

21,48 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4320
Корпус - мм:
1150
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,2пФ
Роз’єм: HDC; контактна вкладка; штекерний; 16А; 500В; Han® EEE
Роз’єм: HDC; контактна вкладка; штекерний; 16А; 500В; Han® EEE

1774,58 грн

Connector family:
промислова
Engineering PN:
Han 64 EEE male insert crimp
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 0603

0,26 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 37,1В; 11,1А; двоспрямована; DFN3820A; TransZorb®
Діод: TVS; 600Вт; 37,1В; 11,1А; двоспрямована; DFN3820A; TransZorb®

6,21 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Зворотна напруга макс.:
33,3В
Корпус:
DFN3820A
Монтаж:
SMD
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 70А; 100Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 70А; 100Вт; TO220

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
IT; 13А; затискання; Контакти: сплав міді; нікельований
IT; 13А; затискання; Контакти: сплав міді; нікельований

6,72 грн

Електричний монтаж:
затискання
Матеріал контакту:
сплав міді
Номінальний струм:
13А
Покриття контакту:
нікельований
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK

310,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
4нКл
Корпус:
PG-SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
124нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252

21,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD