Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 226А; 250Вт; TO247

Немає в наявності
Код товару: GT023N10Q
174,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT023N10Q
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 121нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 226А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 3A; 250V

18,37 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 26; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 26; SMT; straight

103,90 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,6мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Вентилятор: DC; 30x30x10,5мм; осьовий; 5ВDC; 5,34м3/г; 31,6дБА
Вентилятор: DC; 30x30x10,5мм; осьовий; 5ВDC; 5,34м3/г; 31,6дБА

0,00 грн

Виводи:
проводи x4
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Недоступний
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 1225; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 1225; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

2,43 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,3пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,3пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,3пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,76 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,6пФ
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 1,27÷5,5В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 1,27÷5,5В

79,83 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; регульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
1,27...5,5В
Вихідний струм:
25мА
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт

1568,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
215нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

320,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
11нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А

382,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

622,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
42нКл