Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 226А; 265Вт; TO263

Немає в наявності
Код товару: GT023N10M
157,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT023N10M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 137нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 265Вт
Струм стока: 226А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 250В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 250В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805

3,35 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ

1,68 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,9пФ
Connector: wire-board; plug; male; data; Inom: 3A; 267V; PIN: 2; THT
Connector: wire-board; plug; male; data; Inom: 3A; 267V; PIN: 2; THT

56,39 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
2
Резистор: thin film; 330Ом; 0204; 400мВт; ±1%; -55÷155°C; 50ppm/°C
Резистор: thin film; 330Ом; 0204; 400мВт; ±1%; -55÷155°C; 50ppm/°C

1,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0204
Корпус - мм:
0510
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; DIP6
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; DIP6

0,00 грн

CTR@If:
40-80%@10mA
Вид виходу:
транзисторний
Кількість каналів:
1
Корпус:
DIP6
Конденсатор: поліестровий; 100нФ; 400ВDC; ±10%; 7,5x19мм; THT
Конденсатор: поліестровий; 100нФ; 400ВDC; ±10%; 7,5x19мм; THT

24,96 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Монтаж:
THT
Робоча напруга:
400В DC
Ключ: комбінований; тріскачка; 10мм; хром-ванадієва сталь
Ключ: комбінований; тріскачка; 10мм; хром-ванадієва сталь

399,77 грн

Вид ключа:
тріскачка
Властивості ключів:
протиковзкий тримач; сатиновані; тріскачки оснащені механізмом з 72 зубцями, що забезпечує невеликий кут праці
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Модель:
коротка
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD