Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 3,5А; 1,7Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: GT1003A
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT1003A
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 5нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,7Вт
Струм стока: 3,5А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
PMIC; LDO,перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5ВDC; 0,3÷1А; VQFN32; SMD
PMIC; LDO,перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5ВDC; 0,3÷1А; VQFN32; SMD

141,28 грн

Вид об'єднаної схеми:
LDO; перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь; блок живлення eMPU
Вихідний струм:
0,3...1А
Резистор: thick film; 47,5Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 47,5Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,63 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 63,4Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 63,4Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: metal film; 576Ом; ±0,1%; 15ppm/°C; осьові; L: 7,2мм
Резистор: metal film; 576Ом; ±0,1%; 15ppm/°C; осьові; L: 7,2мм

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thin film; 806Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 806Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

8,49 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: thick film; 300кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В
Резистор: thick film; 300кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В

3,12 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 80,6кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 80,6кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD

205,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD

268,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD