Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 370А; 400Вт; TOLL

Немає в наявності
Код товару: GT010N10TL
186,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT010N10TL
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 0,22мкКл
Корпус: TOLL
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 400Вт
Струм стока: 370А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 1мФ; 10ВDC; Ø10x10,2мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 1мФ; 10ВDC; Ø10x10,2мм; ±20%

10,96 грн

Висота:
10,2мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Ємність:
1мФ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

6,97 грн

Alias:
KGM05ACG1H101JH
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Конденсатор: керамічний; 56пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 56пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

10,77 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
56пФ
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD