1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 52А; 71Вт; DFN3x3-8

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 52А; 71Вт; DFN3x3-8
Немає в наявності
Код товару: GT130N10D3
48,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT130N10D3
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 18нКл
Корпус: DFN3x3-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 71Вт
Струм стока: 52А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перемикач: кулачковий, декілька положень; Фікс.поз: 3; 20А; 1-2-3
Перемикач: кулачковий, декілька положень; Фікс.поз: 3; 20А; 1-2-3

2256,72 грн

Кількість всіх позицій:
3
Кількість полюсів:
2
Кількість фіксованих позицій:
3
Клас герметичності:
IP40 спереду
Недоступний
Перемикач: DIP-SWITCH; Кількість секцій: 8; OFF-ON; 0,1A/6ВDC
Перемикач: DIP-SWITCH; Кількість секцій: 8; OFF-ON; 0,1A/6ВDC

89,96 грн

Виводи:
Gull Wing; для друку
Вид упаковки:
ролик
Властивості перемикачів:
із ущільнюючою стрічкою
Кількість всіх позицій:
2/8
Недоступний
Tap: metric; M6; right hand thread; 1; L: 56mm; finishing; 4.9mm
Tap: metric; M6; right hand thread; 1; L: 56mm; finishing; 4.9mm

117,84 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
права
Вид рукоятки:
квадрат; ручний
Використання інструментів:
для крізних отворів; для некрізних отворів
Connector: wire-board; male; data; Inom: 13A; 600V; PIN: 18; shrouded
Connector: wire-board; male; data; Inom: 13A; 600V; PIN: 18; shrouded

163,46 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT; паяння
Кількість пін:
18
Недоступний
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±5%; SP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±5%; SP; 200В; -55÷155°C

5,51 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Запобіжник: термічний; 18,7x18,7x39,5мм; 8А; Iмакс: 1кА; 125В,250В
Запобіжник: термічний; 18,7x18,7x39,5мм; 8А; Iмакс: 1кА; 125В,250В

169,16 грн

Максимальна напруга:
1,5кВ AC
Максимальний струм:
1кА
Номінальна напруга:
32В DC; 0,125кВ; 0,25кВ
Номінальний струм:
8А
Недоступний
Фільтр: проти перешкод; трифазний; 530ВAC; 160А; 280x140x170мм
Фільтр: проти перешкод; трифазний; 530ВAC; 160А; 280x140x170мм

0,00 грн

Вид фільтру:
трифазний
Потужність розсіювання:
32Вт
Растр монтажних отворів:
230x153,5мм
Робоча напруга:
530В AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC89
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD