Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 70А; 100Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: GT080N10K
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT080N10K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 50нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 100Вт
Струм стока: 70А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Контейнер; AA,R6; К-сть бат: 3; пригвинчуваний; паяльні пластинки
Контейнер; AA,R6; К-сть бат: 3; пригвинчуваний; паяльні пластинки

0,00 грн

Виводи:
кільцеві; паяльні пластинки
Кількість батарей:
3
Матеріал:
сталь
Монтаж:
пригвинчуваний
Недоступний
Запобіжник: плавка; 11,8мм; автомобільний; 10А; 80ВDC; Mini; MINI
Запобіжник: плавка; 11,8мм; автомобільний; 10А; 80ВDC; Mini; MINI

330,08 грн

Вид запобіжника:
автомобільний
Застосування запобіжників:
запобіжники автомобільні
Колір:
червоний
Номінальна напруга:
80В DC
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

1169,54 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 274кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 274кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,7пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201

0,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
1пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 10пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 10пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; THT; 5мм

6,21 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
10пФ
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD