1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 70А; 100Вт; TO263

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 70А; 100Вт; TO263
Немає в наявності
Код товару: GT080N10M
64,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT080N10M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 50нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 100Вт
Струм стока: 70А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Дисплей: TFT; 3,5"; 320x240; Підсв: LED; Вим: 77,7x64,7x8,15мм
Дисплей: TFT; 3,5"; 320x240; Підсв: LED; Вим: 77,7x64,7x8,15мм

2650,79 грн

Cенсорна панель:
опору
Вид дисплея:
графічний
Вид контролера:
SSD1963
Вид упаковки:
картоннa; поштучно
Недоступний
Діод: TVS; 8кВт; 20÷22,1В; 274А; двоспрямована; ±5%; DO214AB
Діод: TVS; 8кВт; 20÷22,1В; 274А; двоспрямована; ±5%; DO214AB

105,80 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
16В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 22; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 22; SMT; 3A; 250V

190,70 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 512кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; QFN64; PIC32
IC: мікроконтролер PIC; 512кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; QFN64; PIC32

489,74 грн

Вид архітектури:
M4K
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
CRC; DMA; PMP; RTCC; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Конденсатор: керамічний; 220нФ; 100ВDC; X7R; 3,2x2,5x2мм
Конденсатор: керамічний; 220нФ; 100ВDC; X7R; 3,2x2,5x2мм

60,82 грн

Діелектрик:
X7R
Ємність:
0,22мкФ
Робоча напруга:
100В DC
Розміри корпусу:
3,2x2,5x2мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

2,00 грн

Alias:
KGM31BCG2A560JT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0603

4,69 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
0,1мкФ
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252