Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 71А; 100Вт; DFN5x6-8

Немає в наявності
Код товару: GT085N10D5
48,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT085N10D5
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 42нКл
Корпус: DFN5x6-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 100Вт
Струм стока: 71А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,8пФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 47мкФ; 25ВDC; Ø6,3x13мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 47мкФ; 25ВDC; Ø6,3x13мм; ±20%

0,00 грн

Виводи:
осьові
Висота:
13мм
Діаметр:
6,3мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680нФ; 25В; X8R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680нФ; 25В; X8R; ±10%; SMD; 0805

4,56 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±10%
Недоступний
Діод: TVS; 500Вт; 13,3В; 25,1А; двоспрямована; DO214AC,SMA
Діод: TVS; 500Вт; 13,3В; 25,1А; двоспрямована; DO214AC,SMA

16,22 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
12В
Недоступний
Резистор: thin film; 681Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 681Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Вимикач максимального струму; 230ВAC; Iном: 3А; Полюси: 1; Харкт: C
Вимикач максимального струму; 230ВAC; Iном: 3А; Полюси: 1; Харкт: C

587,94 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Електрична стійкість:
10000 цикли
Кількість полюсів:
1
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 30А; Idm: 111А; 268Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 30А; Idm: 111А; 268Вт

350,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
10,2нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD