Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 9А; 23Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: GT10N10
39,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT10N10
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 5нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 23Вт
Струм стока: 9А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 680Ом; 0805; 125мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C
Резистор: thin film; 680Ом; 0805; 125мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C

5,26 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
680Ом
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 3,3мкФ; 250ВDC; 17,5мм; ±10%; ECQE; THT
Конденсатор: поліестровий; 3,3мкФ; 250ВDC; 17,5мм; ±10%; ECQE; THT

53,22 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
3,3мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
17,5мм
Недоступний
Ящик; для інструменту; з колесами; 400x400x705мм
Ящик; для інструменту; з колесами; 400x400x705мм

3027,75 грн

Зовнішні розміри:
400x400x705мм
Модель:
з колесами
Тип контейнера:
для інструменту, ящик
Недоступний
Резистор: thick film; 15Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±5%; PS; 400В
Резистор: thick film; 15Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±5%; PS; 400В

2,12 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Резистор: thin film; 75кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 75кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; -55÷155°C

21,79 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 27мм; 1/2"; довга
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 27мм; 1/2"; довга

448,56 грн

Вид ключа:
насадковий; ударний
Довжина насадки:
78мм
Матеріал:
хром-молібденова сталь
Модель:
довга
Недоступний
Резистор: metal film; 459Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 459Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

38,01 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK