1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 120В; 55А; 96Вт; TO263

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 120В; 55А; 96Вт; TO263
Немає в наявності
Код товару: GT180N12M
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT180N12M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 120В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 96Вт
Струм стока: 55А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Мірник: опору ізоляції; LCD; (1999); ВAC: 750В; ±(1%+6digit)
Мірник: опору ізоляції; LCD; (1999); ВAC: 750В; ±(1%+6digit)

3200,71 грн

Батарея/акумулятор:
немає
Вид вжитого дисплея:
LCD
Вимір:
напруги AC; опору ізоляції
Вимірювальна напруга:
250В; 500В; 1кВ
Недоступний
Резистор: thin film; 95,3кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 95,3кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

24,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 1206

5,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; THT
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; THT

3,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
10пФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 3,4нГн; 1950мА; R: 0,03Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 3,4нГн; 1950мА; R: 0,03Ом; LQW; 180мм

2,99 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5nH
Індуктивність:
3,4нГн
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама" кутовий; 10м; 250ВAC; 4А
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама" кутовий; 10м; 250ВAC; 4А

2691,97 грн

Відповідність стандарту:
UL
Довжина кабелю:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 1206

15,33 грн

Діелектрик:
X8R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252