1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 150В; 200А; 430Вт; TOLL

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 150В; 200А; 430Вт; TOLL
Немає в наявності
Код товару: GT070N15TL
131,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT070N15TL
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 89нКл
Корпус: TOLL
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 430Вт
Струм стока: 200А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 130кОм; 0603; 100мВт; ±1%; RT; 1,6x0,8x0,45мм
Резистор: thin film; 130кОм; 0603; 100мВт; ±1%; RT; 1,6x0,8x0,45мм

0,00 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
130кОм
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 400В; 10А; TO220AC; 35нс; автомобільна галузь
Діод: випрямний; THT; 400В; 10А; TO220AC; 35нс; автомобільна галузь

53,85 грн

Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
супер швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Корпус:
TO220AC
Недоступний
Кінцевий датчик; металевий ролик Ø14мм; NO + NC; 10А; M20; IP65
Кінцевий датчик; металевий ролик Ø14мм; NO + NC; 10А; M20; IP65

1424,86 грн

Вид головки:
металевий ролик Ø14мм
Властивості перемикачів:
контакти залежної дії
Кількість монтажних отворів:
4
Клас герметичності:
IP65
Резистор: thick film; 75Ом; 0402; 200мВт; ±1%; 1x0,5x0,35мм
Резистор: thick film; 75Ом; 0402; 200мВт; ±1%; 1x0,5x0,35мм

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; NQ; 150В
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; NQ; 150В

0,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: HDC; IP65; прямий; для проводу; Han® B
Корпус для з’єднувачів: HDC; IP65; прямий; для проводу; Han® B

1055,50 грн

Engineering PN:
Han 10B-gg-QB-M20
Застосування - серія/виробник:
Han® B
Кількість отворів на сальнику:
1
Клас герметичності:
IP65
Connector: RJ11; data transfer; unshielded; phosphor bronze; 6p4c
Connector: RJ11; data transfer; unshielded; phosphor bronze; 6p4c

64,62 грн

Connector family:
data transfer
Матеріал контакту:
фосфориста бронза
Модель роз’єму:
неекранований
Покриття контакту:
позолочений
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC89
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD