1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 40В; 120А; 63Вт; DFN5x6-8

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 40В; 120А; 63Вт; DFN5x6-8
Немає в наявності
Код товару: GT019N04D5
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT019N04D5
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 95нКл
Корпус: DFN5x6-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 63Вт
Струм стока: 120А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 96МГц; UFQFPN48; 1,71÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 96МГц; UFQFPN48; 1,71÷3,6ВDC

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M33
Інтерфейс:
GPIO; I2C; IrDA; LIN; LPUART; SPI; SWD; USART; USB
Кількість входів/виходів:
33
Корпус:
UFQFPN48
Недоступний
Резистор: thin film; 5,76кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR
Резистор: thin film; 5,76кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 82кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 82кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 124Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 124Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; 0,01A/24ВDC; RS; SMD
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; 0,01A/24ВDC; RS; SMD

1213,89 грн

Виводи:
для друку
Електрична стійкість:
300000 цикли
Зовнішні розміри:
14x8,6x8мм
Конфігурація контактів:
SPDT
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 0603; 62,5мВт; ±5%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 0603; 62,5мВт; ±5%; CQ; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; LED; 90Вт; 48ВDC; 0÷1875мА; 220÷240ВAC
Блок живлення: імпульсний; LED; 90Вт; 48ВDC; 0÷1875мА; 220÷240ВAC

0,00 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
48В DC
Вихідний струм:
0...1875мА
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PICOSTAR3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26