1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 40В; 220А; Idm: 550А; 90Вт

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 40В; 220А; Idm: 550А; 90Вт
Немає в наявності
Код товару: GT013N04TI
55,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT013N04TI
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 50нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 2,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 90Вт
Струм стока: 220А
Струм стоку в імпульсі: 550А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 9,1Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 9,1Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: metal film; 6,8кОм; THT; 250мВт; ±5%; MF; 200В; осьові
Резистор: metal film; 6,8кОм; THT; 250мВт; ±5%; MF; 200В; осьові

1,84 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,85мм
Довжина:
3,5мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±1%; PS; 400В
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±1%; PS; 400В

4,24 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

392,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247

630,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь

629,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
I2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT