1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 40В; 345А; 159Вт; TOLL

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 40В; 345А; 159Вт; TOLL
Немає в наявності
Код товару: GT007N04TL
76,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT007N04TL
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 125нКл
Корпус: TOLL
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 159Вт
Струм стока: 345А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HQ; 200В

0,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 33кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 33кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В

2,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 620кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 620кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,19 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 2220

361,76 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
10нФ
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

4,31 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
1нФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 2кВ; X7R; -20÷80%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 2кВ; X7R; -20÷80%; SMD; 1210

3,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
-20...80%
Недоступний
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 3÷32ВDC; 100А; 24÷660ВAC; 77; IP20
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 3÷32ВDC; 100А; 24÷660ВAC; 77; IP20

2554,49 грн

Клас герметичності:
IP20
Модель реле:
1-фазний
Напруга перемикання:
24...660В AC
Напруга управління:
3...32В DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 51А; 54Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 51А; 54Вт; DPAK

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
11,1нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; 400мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; 400мВт; SOT23

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
8,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,3А; 300мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,3А; 300мВт; SOT23

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; DPAK

97,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1,21А; Idm: 8А; 44Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1,21А; Idm: 8А; 44Вт; TO252

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13,2нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; ESD

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70; SOT323
Модель:
ESD