Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 40В; 47А; 22,7Вт; DFN3x3-8

Немає в наявності
Код товару: GT095N04D3
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT095N04D3
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 23нКл
Корпус: DFN3x3-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 22,7Вт
Струм стока: 47А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Роз’єм: круглі; IP67; пригвинчуваний; Контакти: латунь; пластик
Роз’єм: круглі; IP67; пригвинчуваний; Контакти: латунь; пластик

3734,80 грн

Клас герметичності:
IP67
Клас горючості:
UL94V-0
Матеріал контакту:
латунь
Матеріал корпусу:
термопласт, пластик
Недоступний
Резистор: thin film; 442Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 442Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%

24,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 510кОм; THT; 250мВт; ±5%; 200В; Ш0,45x28мм
Резистор: вуглецевий; 510кОм; THT; 250мВт; ±5%; 200В; Ш0,45x28мм

0,26 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,85мм
Довжина:
3,5мм
Допуск:
±5%
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4÷36ВDC; Uвих: 1,025÷1,4125ВDC; 45А
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4÷36ВDC; Uвих: 1,025÷1,4125ВDC; 45А

466,93 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
1,025...1,4125В DC
Вихідний струм:
45А
Недоступний
Резистор: thick film; 442Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 442Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 91Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 91Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0; 75В

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 7,5Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; PS; 200В
Резистор: thick film; 7,5Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; PS; 200В

2,22 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD