Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 60В; 14А; 3Вт; SOP8

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: GT110N06S
49,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT110N06S
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 24нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3Вт
Струм стока: 14А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Провід; Alpha Essential C&C; 15x24AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В
Провід; Alpha Essential C&C; 15x24AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В

69827,13 грн

Будова екрану:
екранований; плівка AL-PET
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
CSA CMG FT4; UL 2576; UL CM; VW-1
LED стрічка; теплий білий; Корп.(мм): 5050; LED/м: 60; 10мм; IP20
LED стрічка; теплий білий; Корп.(мм): 5050; LED/м: 60; 10мм; IP20

264,83 грн

Відповідність стандарту:
UL
Властивості джерел світла:
біла РСВ
Властивості діодів LED:
без корпусу
Кількість LED на метр:
60
Резистор: thick film; 10мОм; 0805; -55÷155°C; 30ppm/°C
Резистор: thick film; 10мОм; 0805; -55÷155°C; 30ppm/°C

11,21 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
10мОм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3пФ; 50В; CHA; ±0,5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3пФ; 50В; CHA; ±0,5%; SMD; 0402

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Резистор: thick film; 15кОм; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 15кОм; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

0,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: thin film; 42,7кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 42,7кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 7,3А; 12,5Вт; SO8; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 7,3А; 12,5Вт; SO8; ESD

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А

4406,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
90В
Струм стока:
12А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8

11,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23