Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 7,3А; 12,5Вт; SO8; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DMN2028USS-13
33,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN2028USS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус: SO8
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 28мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 12,5Вт
Струм стока: 7,3А
Тип транзистора: N-MOSFET
Connector: wire-board; socket; female; data; Inom: 3A; PIN: 1; 2.54mm
Connector: wire-board; socket; female; data; Inom: 3A; PIN: 1; 2.54mm

8,81 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
1
Недоступний
Резистор: thin film; 33Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 33Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В

1,34 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Варистор: металооксидний; THT; 30ВAC; 38ВDC; 47В; 250А; Ø: 9мм; Ø9мм
Варистор: металооксидний; THT; 30ВAC; 38ВDC; 47В; 250А; Ø: 9мм; Ø9мм

13,94 грн

Висота:
9мм
Діаметр:
9мм
Енергія 2 мс:
2Дж
Монтаж:
THT
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 300кГц; Ch: 2; 1,8÷5,5ВDC; MSOP8; 8мкВ
IC: Oпераційний підсилювач; 300кГц; Ch: 2; 1,8÷5,5ВDC; MSOP8; 8мкВ

88,06 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
8мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
5пА
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3МОм; 1206; 250мВт; ±5%; WR12; 200В; 178мм
Резистор: thick film; 3,3МОм; 1206; 250мВт; ±5%; WR12; 200В; 178мм

0,16 грн

Діаметр роліка макс.:
178мм
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Конденсатор: керамічний; 330пФ; 200ВDC; C0G (NP0); SMD; 1111
Конденсатор: керамічний; 330пФ; 200ВDC; C0G (NP0); SMD; 1111

148,89 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,33нФ
Корпус - дюйм:
1111
Корпус - мм:
2828
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,3пФ
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8