1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 60В; 200А; 230Вт; TOLL

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 60В; 200А; 230Вт; TOLL
Немає в наявності
Код товару: GT025N06TL
73,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT025N06TL
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 101нКл
Корпус: TOLL
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 230Вт
Струм стока: 200А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,8пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,8пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,8пФ
Вимикач максимального струму; 230ВAC; Iном: 63А; Полюси: 1; 6кА
Вимикач максимального струму; 230ВAC; Iном: 63А; Полюси: 1; 6кА

803,98 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Кількість полюсів:
1
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 120пФ; 250В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 120пФ; 250В; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,88 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,12нФ
Корпус - дюйм:
0805
Резистор: thick film; 221кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 221кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 10A/250ВAC; THT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 10A/250ВAC; THT

58,92 грн

Виводи:
до лютування
Висота:
12,5мм
Зовнішні розміри:
28,5x12,5x10,1мм
Кількість пін:
4
Резистор: thick film; 560кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 560кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

5,07 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 20В; SMD8
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 20В; SMD8

0,00 грн

Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
5В
Кількість каналів:
1
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 3А; 200мВт; SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 3А; 200мВт; SOT523

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD