Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 60В; 45А; 52Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: GT090N06K
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT090N06K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 52Вт
Струм стока: 45А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 20А; Полюси: 4; 10кА
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 20А; Полюси: 4; 10кА

5389,01 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Електрична стійкість:
10000 цикли
Кількість полюсів:
4
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 0,65÷6ВDC; Uвих: 4ВDC; SOT25; SMD
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 0,65÷6ВDC; Uвих: 4ВDC; SOT25; SMD

0,00 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
4В DC
Вхідна напруга:
0,65...6В DC
Недоступний
M12; 1,5; IP66,IP68; поліамід; чорний; SKINTOP®
M12; 1,5; IP66,IP68; поліамід; чорний; SKINTOP®

98,83 грн

Type of cable gland:
cable
Вид різьблення:
метрична
Відповідність стандарту:
ATEX Ex
Довжина гвинта:
8мм
Недоступний
Резистор: thick film; 33Ом; THT; 100Вт; ±1%; 15,75x20,7x4,95мм
Резистор: thick film; 33Ом; THT; 100Вт; ±1%; 15,75x20,7x4,95мм

1084,64 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Опір:
33Ом
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 19; THT; 3A; 150V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 19; THT; 3A; 150V

235,68 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
3,8мм
Довжина відводів:
3,2мм
Недоступний
Резистор: thick film; 2,8кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D
Резистор: thick film; 2,8кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D

1,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 1333мА
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 1333мА

3288,78 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
1,333А
Вхідна напруга:
36...75В DC
Зовнішні розміри:
50,8x25,4x10,2мм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD