Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 40А; 262Вт; TO247-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SCT2080KEHRC11
1782,82 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2
Код товару: SCT2080KEHRC11
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 106нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -6...22В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 80мОм
Потужність розсіювання: 262Вт
Струм стока: 40А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 3А; 125Вт; D2PAK,TO263; 970нс
Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 3А; 125Вт; D2PAK,TO263; 970нс

209,71 грн

Заряд затвора:
37,5нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
20В
IC: цифровий; Ch: 2; 1÷3,6ВDC; SMD; MSOP8; -40÷85°C; IN: 2; OUT: 2
IC: цифровий; Ch: 2; 1÷3,6ВDC; SMD; MSOP8; -40÷85°C; IN: 2; OUT: 2

32,94 грн

Вид об'єднаної схеми:
двонаправлений; транслятор напруги логічних рівнів
Інтерфейс:
I2C; SMBus
Кількість виходів:
2
Кількість каналів:
2
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; для проводу; прямий
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; для проводу; прямий

0,00 грн

Механічний монтаж:
для проводу
Модель роз’єму:
неекранований
Просторова орієнтація:
прямий
Тип корпусу для з’єднувачів:
D-Sub
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 32,4кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 32,4кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Contact; Batt.no: 1; SMT; brass; coin battery
Contact; Batt.no: 1; SMT; brass; coin battery

6,02 грн

Використання:
coin battery
Кількість батарей:
1
Матеріал контакту:
латунь
Монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 620кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 620кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
IC: цифровий; 3-позиційний,8bit,bus transceiver,octal; CMOS,TTL
IC: цифровий; 3-позиційний,8bit,bus transceiver,octal; CMOS,TTL

0,00 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
3-позиційний; 8bit; bus transceiver; octal
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DHVQFN20
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 18А; Idm: 72А; 20,2Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 18А; Idm: 72А; 20,2Вт; TO220FP

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 60А; Idm: 264А; 313Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 60А; Idm: 264А; 313Вт

855,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 11А; Idm: 44А; 25Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 11А; Idm: 44А; 25Вт; TO220FP

136,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

2559,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB